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馮哲川教授團(tuán)隊(duì)發(fā)表了關(guān)于物理氣相傳輸法（PhysicalVaporTransport，PVT）制備AlN晶體的深入研究。本研究巧妙地綜合利用可變角度光譜橢偏儀、拉曼光譜與原子力顯微鏡等表征手段，揭示了c面與m面AlN晶體的本質(zhì)特性差異。其中，橢偏儀作為核心表征手段，為評(píng)估晶體質(zhì)量提供了關(guān)鍵、多維度的量化證據(jù)。研究成果以“Temperature-DependentRamanScatteringａndCorrelativeInvestigationofAlNCrystalsPre...

橢偏儀在半導(dǎo)體CMP工藝量測(cè)的應(yīng)用一、半導(dǎo)體CMP工藝背景芯片制造過(guò)程大致可以分為頂層設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試三大步驟，晶圓制造過(guò)程尤為復(fù)雜。晶圓制造主要包括7大流程，分別是擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長(zhǎng)、化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical-MechanicalPlanarization，簡(jiǎn)稱(chēng)CMP）、金屬化。不同特性芯片，工藝制程和技術(shù)節(jié)點(diǎn)要求也不同，這些工藝制程并不是按某單一順序執(zhí)行，而是選擇性地重復(fù)進(jìn)行。例如，每一片晶圓在生產(chǎn)過(guò)程中可能都會(huì)經(jīng)歷幾道甚至幾十道的CMP工...

一、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池介紹太陽(yáng)能電池是一種能將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能的光伏器件。太陽(yáng)能電池可以應(yīng)用于發(fā)電廠，照明，汽車(chē)，通風(fēng)系統(tǒng)等商用和家用的場(chǎng)景。太陽(yáng)能電池可以分為第一代、第二代和第三代電池。第一代電池也稱(chēng)為傳統(tǒng)電池或晶硅電池，由商業(yè)上占主導(dǎo)地位的晶體硅制成，包括多晶硅和單晶硅等材料。第二代電池是薄膜太陽(yáng)能電池，包括非晶硅，CdTe和CIGS電池。第三代太陽(yáng)能電池包括多種薄膜技術(shù)，通常被稱(chēng)為新興光伏技術(shù)。晶硅電池的理論極限效率為29.4%，考慮到光學(xué)與電學(xué)的實(shí)際可能的損失后,其實(shí)際...

反射透射測(cè)量?jī)x是一種用于準(zhǔn)確測(cè)定材料光學(xué)特性的精密儀器，主要用于測(cè)量樣品對(duì)光的反射率、透射率以及由此推算出的吸收率。它被廣泛應(yīng)用于光學(xué)材料研發(fā)、薄膜鍍膜、半導(dǎo)體、光伏、建筑玻璃及各類(lèi)新型材料的性能表征與質(zhì)量控制。反射透射測(cè)量?jī)x是基于光學(xué)的反射、透射現(xiàn)象：向待測(cè)樣品發(fā)射特定波長(zhǎng)光線，分別測(cè)量被樣品反射的光強(qiáng)和透過(guò)樣品的光強(qiáng)，與入射光強(qiáng)對(duì)比后計(jì)算得到樣品的反射率和透射率。操作要點(diǎn)：定期校準(zhǔn)與基線校正：測(cè)量前必須使用標(biāo)準(zhǔn)參考白板和空氣/空白基片對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn)，以消除光源波動(dòng)和環(huán)境雜...

在半導(dǎo)體制造和精密加工領(lǐng)域，晶圓形貌量測(cè)是確保工藝良率、設(shè)備可靠性和器件性能的關(guān)鍵質(zhì)量管控環(huán)節(jié)，可避免工藝過(guò)程中出現(xiàn)光刻失焦、設(shè)備碎片、鍵合空洞、刻蝕不均勻等一系列問(wèn)題。TTV與翹曲度的測(cè)量是貫穿半導(dǎo)體前道工藝的核心幾何量計(jì)量，其本質(zhì)在于通過(guò)對(duì)硅片宏觀三維形貌的嚴(yán)格管控，消除微觀電路制造過(guò)程中的物理不確定性，從而保障光刻對(duì)準(zhǔn)、工藝均勻性、設(shè)備安全及最終產(chǎn)品的電性能與可靠性。頤光科技的MSM系列高精度晶圓形貌測(cè)量設(shè)備，可滿(mǎn)足晶圓形貌的高精度量測(cè)。MSM系列產(chǎn)品n技術(shù)原理n應(yīng)用場(chǎng)...